V001 / IJS / T478

Slika

Revija Scientific Reports je objavila članek, ki ga je zasnoval Abdou Hassanien z Odseka za fiziko trdne snovi Instituta "Jožef Stefan" ter napisal skupaj z raziskovalci ‎Alexandrom Vahlom, Nikom Carstensom, Thomasom Strunskusom in Franzem Faupelom z univerze Christian ‎Albrechts v Kielu v Nemčiji. Avtorji poročajo o delovanju memristorjev (memory resisitor oz. spominski rezistor) na nivoju posameznih ‎nanodelcev z namenom najti pogoje, pri katerih naprava robustno deluje, hkrati pa dognanja ‎vodijo k razumevanju fizikalnega ozadja. Ugotovili so, da uporaba nanodelcev nekaterih zlitin učinkovito omejuje nastajanje stabilnih kovinskih vlaken in posledično ‎vodi do ponovljive difuzivne karakteristike preklapljanja memristorja.