Revija Scientific Reports je objavila članek, ki ga je zasnoval Abdou Hassanien z Odseka za fiziko trdne snovi Instituta "Jožef Stefan" ter napisal skupaj z raziskovalci Alexandrom Vahlom, Nikom Carstensom, Thomasom Strunskusom in Franzem Faupelom z univerze Christian Albrechts v Kielu v Nemčiji. Avtorji poročajo o delovanju memristorjev (memory resisitor oz. spominski rezistor) na nivoju posameznih nanodelcev z namenom najti pogoje, pri katerih naprava robustno deluje, hkrati pa dognanja vodijo k razumevanju fizikalnega ozadja. Ugotovili so, da uporaba nanodelcev nekaterih zlitin učinkovito omejuje nastajanje stabilnih kovinskih vlaken in posledično vodi do ponovljive difuzivne karakteristike preklapljanja memristorja.